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SPI NAND Flash产品规格
产品型号 容量 ECC 接口 频率 电压范围 封装形式 状态
HYF1GQ4UAACAE 1Gbit/128Mbyte 14bit Standard SPI/
Dual SPI/Quad SPI
Max:80M 2.7 to 3.6V WSON8(6x8mm) 量产
HYF2GQ4UAACAE 2Gbit/256Mbyte 14bit Standard SPI/
Dual SPI/Quad SPI
Max:80M 2.7 to 3.6V WSON8(6x8mm) 量产
HYF1GQ4IAACAE 1Gbit/128Mbyte 14bit Standard SPI/
Dual SPI/Quad SPI
Max:60M 1.7 to 2.0V WSON8(6x8mm) 量产
HYF2GQ4IAACAE 2Gbit/256Mbyte 14bit Standard SPI
/Dual SPI/Quad SPI
Max:60M 1.7 to 2.0V WSON8(6x8mm) 量产
下载SPI NAND CONTROLLER规格书
SPI NAND Flash优势和特点
系统优势
1、减少主芯片脚位数;
2、相比并口NAND Flash减少41Pin
3、降低 PCB 尺寸并且有利于布线
4、降低闪存控制复杂度可减少主芯片负担
主要特点
1、内建14bit纠错机制;
2、初始零坏块
3、模块级耗损均衡功能
4、具备可客制化设计
SPI NAND Flash优点对比
HY SPI NAND 其它SPI NAND
闪存 采东芝24nm制程高良率及稳定度 低工艺制程良率及稳定度均低
主控 芯片自主研发设计技术自行掌控 与闪存芯片为一体设计变动成本高
;纠错能力 14bit ECC纠错能力强,产品稳定不易出现
 卡死使用寿命长
1bit/4bit ECC纠错能力弱,使用寿命短
  HY SPI NAND 并口NAND
封装 WSON8 TSOP48
引脚数 8 48
纠错能力 14bit ECC纠错能力强,产品稳定不易出现
 卡死使用寿命长
无ECC,使用寿命短
HY SPI NAND SPI NOR
抹除(次数) 快(4ms)(100K<) 很慢(5S)(10K~100K)
写入 快(10X)
读取 快(不可随机读取) 稍快(可随机读取)
使用寿命 35万次 10万次
容量
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